[发明专利]检测结构及检测方法

摘要

一种检测结构及检测方法，所述检测结构包括半导体衬底，位于半导体衬底表面的待检测单元，与所述待检测单元相邻设置的测试MOS晶体管，通过测量所述测试MOS晶体管的电荷泵电流，获得所述待检测单元的温度。由于所述测试MOS晶体管与待检测单元相邻设置，只需要检测出所述测试MOS晶体管的温度即可获得待检测单元的温度；且由于所述测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值与温度呈正比，通过测得所述测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值，即能实时地获得所述待检测单元的温度。

主权项

一种检测方法，其特征在于，包括：提供检测结构，所述检测结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的待检测单元，与所述待检测单元相邻设置的测试MOS晶体管；将所述检测结构放置在具有加热功能的承片台表面，所述待检测单元不工作，利用承片台调节待检测结构的温度，从而获得测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值与温度之间的对应关系；对所述待检测单元施加测试电压，测得测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值，从而根据测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值与温度之间的对应关系获得当前待检测单元的温度；测量所述测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值的方法包括：所述测试MOS晶体管的源区和漏区电学连接后与直流电源的一端相连接，且所述直流电源的另一端通过一个电流表与半导体衬底相连接，在所述测试MOS晶体管的栅电极施加电压脉冲信号，所述电压脉冲信号横跨测试MOS晶体管的阈值电压和平带电压，且所述电压脉冲信号的上升时间、下降时间均小于界面缺陷发射的时间常数，利用所述电流表测得电荷泵电流；且通过调整半导体衬底与源区、漏区之间的偏压，获得电荷泵电流的最大值，其中，所述电压脉冲信号横跨测试MOS晶体管的阈值电压和平带电压为：所述电压脉冲信号的至少部分高电平大于所述MOS晶体管的阈值电压，所述电压脉冲信号的至少部分低电平小于平带电压。