[发明专利]MEMS器件形成方法有效
| 申请号： | 201310439622.X | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104445049A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 谢红梅;许继辉;于佳;汪新学;赵洪波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件形成方法，包括：提供第一基底，所述第一基底内具有开口；在所述第一基底表面贴合第二基底；在贴合后的第二基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有吸附含碳的聚合物能力；在所述第一掩膜层表面形成光刻胶图案层；以光刻胶图案层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出第二基底；去除光刻胶图案层；以刻蚀后的第一掩膜层为掩膜，刻蚀第二基底直至贯穿所述第二基底。本实施例形成的MEMS器件可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底内具有开口；在所述第一基底表面贴合第二基底；在贴合后的第二基底表面形成非晶碳的第一掩膜层；在所述第一掩膜层表面形成光刻胶图案层；以光刻胶图案层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出第二基底；去除光刻胶图案层；以刻蚀后的第一掩膜层为掩膜，刻蚀第二基底直至贯穿所述第二基底。
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