[发明专利]半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201310439966.0 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103681389A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 舩津胜彦;宇野友彰;植栗徹;佐藤幸弘 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/58;H01L21/683
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈华成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的目的是提高将带施加于基板的后表面时的可靠性,同时确保施加于基板的后表面的带的耐热性。在设置于支撑部件内的沟道的底表面与驱动器IC芯片的上表面之间存在间隙。另一方面,引线框的上表面侧由支撑部件支撑,使得沟道的底表面接触安装于低MOS芯片之上的低MOS夹片的上表面。因而,即使在驱动器IC芯片和低MOS芯片被安装于引线框的上表面侧之上的状态下,带也能够被可靠地施加于引线框的后表面,特别地,施加于产品区的后表面。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)制备其中具有布置成矩阵的多个第一区域的第一引线框,所述第一区域包括第一芯片安装部分和第一引线,(b)经由第一导电粘合剂将第一半导体芯片安装在所述第一芯片安装部分的上表面之上,(c)经由第二导电粘合剂将第一金属板安装到所述第一半导体芯片的第一电极焊盘以及安装到所述第一引线,(d)在第一温度加热所述第一导电粘合剂和所述第二导电粘合剂,(e)在步骤(d)之后,将带施加于所述第一引线框的与其上安装有所述第一半导体芯片的面相对的面,以及(f)在步骤(e)之后,通过集体地密封在所述第一引线框中的多个所述第一区域来形成密封体以便覆盖所述第一半导体芯片,其中步骤(e)在支撑所述第一金属板的同时将所述带施加于所述第一引线框。
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