[发明专利]一种碳化硅SBD器件无效
| 申请号： | 201310441377.6 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103474478A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;袁昊;宋庆文;汤晓燕;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，特别是指一种具有槽型终端的碳化硅SBD器件，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离区、终端区、N-外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述终端区位于N-外延层上表面与肖特基接触区边缘处相连接，所述终端区在肖特基接触区边缘连续的一圈，所述终端区呈槽型结构，所述肖特基接触区金属边缘处下表面与终端区的连接端设有与槽型结构相配合的凹槽。本发明的上述技术方案的有益效果如下：满足传统碳化硅SBD器件所需要的击穿电压条件下，将传统SBD器件的终端改为槽型或阶梯型，简化工艺，降低制作难度，提高生产效率，降低生产成本，提高产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 sbd 器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅SBD器件，其特征在于，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离区、终端区、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述终端区位于N‑外延层上表面与肖特基接触区边缘处相连接，所述终端区在肖特基接触区边缘连续的一圈，所述终端区呈槽型结构，所述肖特基接触区金属边缘处下表面与终端区的连接端设有与槽型结构相配合的凹槽。
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