[发明专利]一种有源像素结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201310441960.7 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103456756A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王颖;杨晓亮;曹菲;胡海帆 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有源像素结构及其制作方法，该像素结构包括：NMOS器件和PMOS器件，其中，所述NMOS器件在100晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上；所述PMOS器件在110晶向或111晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上。与普通有源像素结构相比，在具有相同驱动能力下，本发明提供的有源像素结构的填充因子较高，进而提高了有源像素的灵敏度和信噪比。同时，该结构使有源像素的抗辐射性能、速度均得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种有源像素结构，其特征在于，包括：NMOS器件和PMOS器件，其中，所述NMOS器件在100晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上；所述PMOS器件在110晶向或111晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310441960.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阿苯达唑大片剂及其制备工艺
- 下一篇：一种水蛭秋季孵化筏及孵化水蛭卵茧的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
