[发明专利]气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法

摘要

本发明涉及气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法，所述多孔铁电陶瓷的化学组成通式为Pb(ZrxTi1-x)O3，其中0.9≤x≤0.97，所述铁电陶瓷的气孔分布均匀不团聚，气孔大小为5～120μm，孔隙率为5～20%，介电损耗常数为1.5～1.8%。本发明的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷气孔分布均匀不团聚，介电损耗低，电阻率、纵向压电常数和断裂韧性均与致密陶瓷性能相当。而且与致密的PZT铁电陶瓷相比，本发明的多孔PZT铁电陶瓷抗冲击性能更高、铁电-反铁电相变压力更低、与封装材料的阻抗匹配更好等优点，有利于铁电脉冲电源的可靠性。

主权项

一种气孔分布均匀、低介电损耗的多孔锆钛酸铅陶瓷，其特征在于，所述铁电陶瓷的化学组成通式为Pb(ZrxTi1‑x)O3，其中0.9≤x≤0.97，所述铁电陶瓷的气孔分布均匀不团聚，气孔大小为5～120μm，孔隙率为5～20%，介电损耗常数为1.5～1.8%。