[发明专利]半导体激光二极管在审
申请号: | 201310443054.0 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103701036A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | B.施托耶茨;A.莱尔;C.艾希勒 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/14 | 分类号: | H01S5/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 说明一种半导体激光二极管,具有以下特征:-衬底(1),-在衬底(1)上带有至少一个被设立用于生成激光光线(30)的有源层(3)的半导体层序列(2),所述激光光线(30)在运行中沿着辐射方向(50)被辐射,和-至少一个滤波层(9),所述滤波层具有主延伸平面,该主延伸平面平行于有源层(3)的主延伸平面并且被设立用于散射和/或吸收除了激光光线(30)以外也在半导体层序列(2)和/或衬底(1)中传播的光。 | ||
搜索关键词: | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】:
半导体激光二极管,具有-衬底(1),-在衬底(1)上带有至少一个被设立用于生成激光光线(30)的有源层(3)的半导体层序列(2),所述激光光线(30)在运行中沿着辐射方向(50)被辐射,和-至少一个滤波层(9),所述至少一个滤波层具有主延伸平面,该主延伸平面平行于有源层(3)的主延伸平面并且被设立用于散射和/或吸收除了激光光线(30)以外也在半导体层序列(2)和/或衬底(1)中传播的光。
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