[发明专利]一种Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201310443618.0 申请日: 2013-09-26
公开(公告)号: CN103456888A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 杨利营;印寿根;秦文静;唐彤;左红文;郑克宁;于景景;张颖;刘巍嵩;李海林;邹亚伟 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,由透明导电玻璃衬底、Cs掺杂ZnO纳米棒电子传输层、层状类钙钛矿杂化材料CH3NH3PbX3(式中X为Cl、Br或I)、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层和Au金属背电极层组成并依次构成叠层结构。本发明的优点和积极效果是:在杂化太阳能电池中采用Cs掺杂ZnO为电子传输层与氧化锌相比,电子传输能力提高2-3个数量级,电子-空穴的复合得到了有效的抑制,光电转换效率较高;其制备方法工艺简单、反应温度低、效率高、原材料丰富、成本低且绿色无污染,适于工业化大规模生产。
搜索关键词: 一种 cs 掺杂 zno 电子 传输 太阳能电池
【主权项】:
一种以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:由透明导电玻璃衬底、电子传输层、层状类钙钛矿杂化材料、空穴传输层和Au金属背电极层组成并依次构成叠层结构。
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