[发明专利]嵌入式源/漏MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310444795.0 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465519B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;刘海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的嵌入式源/漏MOS晶体管的制造方法，包括在一半导体衬底所形成的PMOS管区域和NMOS管区域的上面分别形成栅极结构；淀积氧化阻挡层；利用氮化工艺和氮化后退火工艺将氮加入氧化阻挡层中以形成氮氧化阻挡层，去除部分氮氧化阻挡层以暴露出PMOS管区域或NMOS管区域，或去除部分氧化阻挡层以暴露出PMOS管区域或NMOS管区域后，利用氮化工艺和氮化后退火工艺将氮加入剩余的氧化阻挡层中以形成氮氧化阻挡层；在暴露的区域中形成与栅极结构两侧相邻的沟槽；在沟槽中外延生长一应变硅材料以形成嵌入式源/漏极MOS晶体管。本发明保证沟槽中外延生长应变硅材料的速率，又能通过剩余的氧化阻挡层降低嵌入式源/漏极MOS晶体管所污染的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式源/漏MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有用于形成PMOS管的区域和NMOS管的区域，在所述PMOS管区域和NMOS管区域的上面分别形成栅极结构；淀积一氧化阻挡层；利用氮化工艺和氮化后退火工艺将氮加入所述氧化阻挡层中以形成氮氧化阻挡层，去除部分所述氮氧化阻挡层以暴露出所述PMOS管区域或NMOS管区域，或者，去除部分所述氧化阻挡层以暴露出所述PMOS管区域或NMOS管区域，利用氮化工艺和氮化后退火工艺将氮加入剩余的氧化阻挡层中以形成氮氧化阻挡层；在暴露的区域中形成与所述栅极结构两侧相邻的沟槽；在所述沟槽中外延生长一应变硅材料以形成嵌入式源/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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