[发明专利]包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件在审
| 申请号： | 201310445019.2 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681865A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 宋泰中;金奎泓;朴在浩;郑钟勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/11;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍式场效应晶体管及其相关器件。该鳍式场效应晶体管可以包括鳍式场效应晶体管的源极区和漏极区。鳍式场效应晶体管的栅极可以横跨源极区与漏极区之间的鳍式场效应晶体管的鳍。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别在源极区和漏极区上。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别包括面对横跨鳍的栅极的第一表面和第二表面，其中，第一表面和第二表面的尺寸是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 不对称 硅化物 结构 场效应 晶体管 相关 器件 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：在所述场效应晶体管的源极上的第一硅化物层，所述第一硅化物层与所述场效应晶体管的栅极分离；在所述场效应晶体管的漏极上的第二硅化物层，所述第二硅化物层与所述栅极分离；以及在所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的每一个上的至少一个接触层，其中，调节所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的至少一个的长宽比，使得所述第一硅化物层和所述第二硅化物层彼此不对称。
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