[发明专利]分离栅闪存结构的形成方法

摘要

本发明提出一种分离栅闪存结构的形成方法，通过硬掩模层的第一开口尺寸和介质侧墙的厚度来定义擦除栅、控制栅以及浮栅的尺寸；补偿侧墙一次形成；闪存源端离子注入也无需光阻掩模，在去除硬掩模层并刻蚀形成控制栅和浮栅时均无需光阻掩模，并且隧穿介质层一次形成，无其它氧化层叠加，能够提高分离栅闪存结构的可靠性，此方法在减少了光阻使用次数，降低生产成本的同时，利于提高分离栅闪存结构的可靠性。

主权项

一种分离栅闪存结构的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有缓冲层、浮栅层、闪存介质层、控制栅层、硬掩模层以及光阻层；以所述光阻层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，形成第一开口，所述第一开口暴露出所述控制栅层；在所述第一开口的内壁形成一介质侧墙；以所述介质侧墙为掩模，依次刻蚀所述控制栅层和闪存介质层，形成第二开口，所述第二开口的尺寸小于所述第一开口的尺寸，并暴露出所述浮栅层；在所述第一开口和第二开口的内壁依次形成一保护侧墙和一补偿侧墙；以所述保护侧墙和补偿侧墙为掩模，刻蚀所述浮栅层，暴露出缓冲层；在所述浮栅层的侧壁形成隧穿介质层；在所述第一开口和第二开口内形成擦除栅；去除所述硬掩模层；无掩模刻蚀去除介质侧墙相背离两侧的部分控制栅层、闪存介质层以及浮栅层，形成控制栅、闪存介质以及浮栅；分别在所述控制栅、闪存介质以及浮栅的侧壁形成闪存侧墙；在所述闪存侧墙的侧壁形成字线，形成分离栅闪存结构。