[发明专利]垂直式晶体管元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310446781.2 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465753A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 苏浩;胡航;廖鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种垂直式晶体管元件及其制作方法，该晶体管元件包括基材、第一源极、漏极、第一栅介电层、第一栅极以及第一掺杂区。基材具有至少一个凸出部。第一源极具有第一电性，形成于基材上。漏极具有第一电性，且位于凸出部上方。第一栅极邻接于凸出部的第一侧壁。第一栅介电层位于第一侧壁和第一栅极之间，且邻接第一源极和漏极第一掺杂区具有第二电性，形成于凸出部下方，且邻接第一源极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种直立式晶体管(vertical transistor)元件，包括：基材，具有至少一凸出部；第一源极，具有一第一电性，形成于该基材上；漏极，具有该第一电性，且位于该凸出部上方；第一栅极，邻接该凸出部的一第一侧壁；第一栅介电层，位于该第一侧壁与该第一栅极之间，且邻接该第一源极和该漏极；以及第一掺杂区，具有一第二电性，形成于该凸出部下方，且邻接该第一源极。
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