[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；在衬底中形成的第一导电类型的第一杂质区，用作晶体管的源极和漏极；在衬底中形成的第一导电类型的第一低浓度杂质区，用作晶体管的LDD区域；在衬底中形成的第一导电类型的第二杂质区，具有与第一杂质区相同的杂质浓度；在衬底中形成的第一导电类型的第二低浓度杂质区，连接到第二杂质区并且具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度；第一接触件，连接到第二杂质区；以及第二接触件，连接到第二低浓度杂质区，其中在以平面图观看时元件隔离膜不被形成在第一接触件与第二接触件之间。