[发明专利]N型晶体硅及其制备方法有效
| 申请号： | 201310447431.8 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103451728A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张帅;胡亚兰;游达;朱常任 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型晶体硅的制备方法，包括以下步骤：向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；硅料熔化，定向凝固，使含有N型掺杂剂的硅液生成N型晶体硅。上述N型晶体硅的制备方法可在晶体生长方向上进行掺杂补偿，从而解决了N型晶体硅锭在晶体生成方向上电阻率分布范围过大的问题，精准控制整个N型晶体硅锭的电阻率。另外，还提供了一种由上述方法制得的N型晶体硅。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型晶体硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；硅料熔化，定向凝固，使含有N型掺杂剂的硅液生成N型晶体硅。
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