[发明专利]一种制备1至5层单晶石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201310449307.5 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103556217A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 史永贵;王东;闫景东;韩砀;柴正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种1至5层单晶石墨烯片的制备方法，将Cu衬底放入特制的化学气相反应室中，抽真空至10-1～10-4Pa；向反应室内充入高纯H2，气流量为1～200sccm，反应室内压力为1～103Pa，加热至150～300℃，保温10～30min，然后关闭充气阀，抽真空至10-1～10-4Pa；向反应室内充入高纯H2，加热至900～1075℃；向反应室内充入CH4，衬底温度为900～1075℃，保温生长5～300min；保持H2和CH4流量不变，关闭加热电源，自然降温，完成1至5层石墨烯的生长；温度降至100℃以下，关闭H2、CH4，充入Ar气，取出样品。按照本发明的方法，通过调节工艺配方，可以得到直径达500μm具有1至5层的高质量单晶石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶石 方法 | ||
【主权项】：
一种制备1至5层单晶石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将Cu衬底进行电化学抛光1～5min，然后分别在去离子水、乙醇中清洗1～5min，取出衬底后用高纯氮气吹干。Cu衬底也可以不进行电化学抛光；步骤2，将处理好的Cu衬底放入特制的化学气相CVD反应室中，抽真空至10‑1～10‑4Pa，以除去反应室内的残留气体；步骤3，向反应室内充入高纯H2，气流率为1～200sccm，反应室内压力为1～103Pa，加热至150～300℃，保温10～30min，然后关闭充气阀，抽真空至10‑1～10‑4Pa，除去衬底及CVD反应室内壁附着的残留气体；步骤4，向反应室内充入高纯H2，气流率为1～100sccm，反应室内压力为1～103Pa加热至900～1075℃；步骤5，向反应室内充入CH4，气流率为1～50sccm，反应室内压力为1～103Pa，衬底温度为900～1075℃，保温生长5～300min；步骤6，保持工序步骤4和步骤5中H2和CH4流量不变，关闭加热电源，自然降温，完成1至5层石墨烯的生长；步骤7，温度降至100℃以下，关闭H2、CH4，充入Ar气，取出样品。
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