[发明专利]硅通孔的形成方法有效
| 申请号： | 201310449898.6 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465494B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 何作鹏;赵洪波;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成通孔；在所述通孔表面形成绝缘层；在所述半导体衬底上形成第一金属铜层，且所述第一金属铜层填充满所述通孔；对所述第一金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面，剩余所述第一金属铜层具有表面缺口；在所述半导体衬底上形成第二金属铜层，且所述第二金属铜层填充满所述第一金属铜层的表面缺口；对所述第二金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面。本发明所提供的硅通孔的形成方法得到表面平坦的硅通孔，所形成的硅通孔的导电能力和可靠性都得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成通孔；在所述通孔表面形成绝缘层；在所述半导体衬底上形成第一金属铜层，且所述第一金属铜层填充满所述通孔；对所述第一金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面，剩余所述第一金属铜层具有表面缺口；所述第一金属铜层的表面缺口位于所述第一金属铜层的周边位置；在所述半导体衬底上形成第二金属铜层，且所述第二金属铜层填充满所述第一金属铜层的表面缺口；对所述第二金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面；所述第一金属铜层位于所述半导体衬底表面的厚度范围包括所述第二金属铜层位于所述半导体衬底表面的厚度范围包括
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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