[发明专利]一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法

摘要

本发明属于半导体部件领域，提供一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法，包括步骤：1）在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空；2）以三甲基铝为铝源、H2O为氧源，进行原子层沉积；3）以三甲基铝为铝源、O3为氧源，进行原子层沉积。本发明针对Al2O3/SiNx叠层薄膜烧结后出现气泡的问题，提出H2O和O3相结合的Al2O3双原子层沉积工艺，以TMA和O3为反应源制备Al2O3薄膜比H2O基Al2O3相对疏松，有效避免H2聚集；利用原子层沉积技术，精确控制Al2O3双原子层厚度，制备得到的有Al2O3钝化膜的晶硅具有良好的光电转换效率、而且没有氢气泡。

主权项

一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法，包括步骤：1）在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空，气压稳定在0.1‑50Torr；2）以三甲基铝为铝源、H2O为氧源，进行原子层沉积，反应周期数为40‑160；3）以三甲基铝为铝源、O3为氧源，进行原子层沉积，反应周期数为95‑300。