[发明专利]一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310453881.8 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500780A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 梁建;韩蕊蕊;吴文质;马淑芳;杨鑫;田海军;许并社 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 041600 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN基LED外延结构，具体是一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法。本发明解决了现有GaN基LED外延结构发光效率较低、光电性能较差、以及良率较低的问题。一种氮化镓基LED外延结构包括蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层、多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型GaN接触层；其中，低温GaN缓冲层生长于蓝宝石衬底的上表面；未掺杂GaN层生长于低温GaN缓冲层的上表面；n型掺杂GaN层生长于未掺杂GaN层的上表面；超晶格层生长于n型掺杂GaN层的上表面；多量子阱发光层生长于超晶格层的上表面。本发明适用于制造半导体发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基LED外延结构，其特征在于：包括蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层、多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型GaN接触层；其中，低温GaN缓冲层生长于蓝宝石衬底的上表面；未掺杂GaN层生长于低温GaN缓冲层的上表面；n型掺杂GaN层生长于未掺杂GaN层的上表面；超晶格层生长于n型掺杂GaN层的上表面；多量子阱发光层生长于超晶格层的上表面；p型AlGaN层生长于多量子阱发光层的上表面；p型GaN接触层生长于p型AlGaN层的上表面。
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