[发明专利]一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310454949.4 | 申请日： | 2013-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103500761A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;戴亚伟;王鹏飞;张卫;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于石墨烯纳米器件技术领域，具体为一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法，适合于石墨烯纳米带Fin-FET器件的大面积制备。具体制备步骤为：先利用常规电子束光刻方法在石墨烯上制备套准标记以及Fin-FET器件的源/漏电极，再利用电子束套准在石墨烯样品上依次制备出石墨烯岛以及百纳米级的光刻胶线条图形，通过原子层淀积侧墙，实现对侧墙宽度的精确控制，再通过侧墙转移技术，以侧墙为掩膜版进行刻蚀，从而实现对石墨烯纳米带沟道宽度的精确控制。通过调节原子层淀积的周期数，能够实现大面积制备沟道宽度小于10nm的石墨烯纳米带Fin-FET器件阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 宽度 可控 石墨 纳米 fin fet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin‑FET器件，其特征在于，包括：由硅/二氧化硅材料组成的衬底；位于上述衬底之上的转移石墨烯层；位于所述转移石墨烯层之上的源/漏电极；位于转移石墨烯层之上的栅介质层；位于栅介质层之上的栅电极。
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