[发明专利]一种CMP工艺中新品研磨数据的精确计算方法

摘要

一种CMP工艺中新品研磨数据的精确计算方法，应用于APC系统，按以下规则同步新品的定时程序中控制信息一，旧品TECH、Layer、PPID、Post Target clear ratio和新品相同，则复制旧品controller到新品；二，clear ratio不同，clear ratio差异在5%以内的任意两笔旧品记录，按公式A的刻开比clear ratio /B和C刻开比clear ratio的平均值=B和C消除前值不同影响的研磨量Table’的平均值/A的研磨量Table；计算出新品A的研磨量Table；A的前值=B、C前值的平均值；三，将A的研磨量Table和前值写入控制信息controller，其它信息数据复制自任意一个选取的旧品B或C的数据。本发明的新品上线成功率高、成本低、减少浪费。

主权项

一种CMP工艺中新品研磨数据的精确计算方法，应用于APC系统，所述APC系统的控制信息controller中含有晶圆工艺TECH、层次Layer、层次上应用的工艺程序PPID、中心值Post Target、刻开比clear ratio数据、前值和旧品的研磨量Table，所述刻开比clear ratio是指刻开面积和总面积之比，所述前值是指研磨之前的膜厚值，其特征是，按以下方法同步新品的定时程序中控制信息controller：一，旧品的晶圆工艺TECH、层次Layer、层次上应用的工艺程序PPID、中心值Post Target和刻开比clear ratio与新品相同，则复制当前的控制信息controller到新品；二，旧品的晶圆工艺TECH、层次Layer、层次上应用的工艺程序PPID、中心值Post Target相同，刻开比clear ratio与新品不同，则按以下公式方法计算新品研磨量Table，(A的刻开比)/(B刻开比与C刻开比两者的平均值)＝(B消除前值影响后的研磨量与C消除前值影响后的研磨量两者的平均值)/(A的研磨量)；式中A表示新品，B、C为任意两个刻开比差异在5％以内的旧品；A、B、C的刻开比均为预设值；B消除前值影响后的研磨量＝B的前值‑A的前值+控制信息controller中已经定义的B的研磨量；C消除前值影响后的研磨量＝C的前值‑A的前值+控制信息controller中已经定义的C的研磨量；其中，控制信息controller中已经存在B、C的前值和研磨量数据，A的前值是B的前值与C的前值两者的平均值；然后将计算出的新品A的研磨量和A的前值写入控制信息controller，其它信息数据复制自任意一个选取的旧品B或C的数据。