[发明专利]有机EL 装置、有机EL 装置的制造方法以及电子设备在审
申请号: | 201310455230.2 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103715225A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 佐合拓己 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供具有高发光质量、发光效率以及发光寿命的有机EL装置、有机EL装置的制造方法以及电子设备。有机EL装置(11)具备:具有子像素(34R)、(34G)、(34B)的像素(38),设置于子像素(34R)、(34G)、(34B)的阳极(24R)、(24G)、(24B),阴极(25),在阳极(24R)、(24G)与阴极(25)之间形成的发光层(63R)、(63G),在发光层(63R)、(63G)与阴极(25)之间和阳极(24B)与阴极(25)之间形成的发光层(63B),在发光层(63R)、(63G)与发光层(63B)之间和阳极(24B)与发光层(63B)之间形成的红外发光层(64)。 | ||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种有机EL装置,其特征在于,具备:具有第1子像素和第2子像素的像素,设置于所述第1子像素的第1阳极,设置于所述第2子像素的第2阳极,遍及所述第1子像素和所述第2子像素地设置的阴极,在所述第1子像素的所述第1阳极与所述阴极之间用涂布方式形成的具有发出第1颜色光的功能的第1发光层,遍及所述第1子像素和所述第2子像素地在所述第1发光层与所述阴极之间和所述第2阳极与所述阴极之间用蒸镀方式形成的具有发出第2颜色光的功能的第2发光层,和至少设置于所述第1子像素的所述第1发光层与所述第2发光层之间的具有发出以可见光波长区域以外的波长为主的光的功能的第3发光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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