[发明专利]一种面向3D封装IC的3D断层扫描成像方法在审

专利信息
申请号: 201310455406.4 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN103489223A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 高红霞;梁剑平;胡跃明 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: G06T17/30 分类号: G06T17/30
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 蔡茂略
地址: 511458 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种面向3D封装IC的3D断层扫描成像方法,该方法通过读取封装IC二维X光CT断层图像序列、封装IC二维X光CT断层图像预处理、封装IC二维X光CT断层图像最小二乘B样条拟合轮廓线、MC算法3D重建到等步骤,实现了对3D封装IC的各种物理缺陷检测,并且图像重建的画面质量得到较大提高,实时操作速度快。
搜索关键词: 一种 面向 封装 ic 断层 扫描 成像 方法
【主权项】:
一种面向3D封装IC的3D断层扫描成像方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)读取封装IC二维X光CT断层图像序列;(2)对封装IC二维X光CT断层图像进行中值滤波预处理去噪,降低噪声对后续步骤的影响;(3)对经过中值滤波后的封装IC二维X光CT断层图像进行直方图均衡化灰度校正;(4)利用概率统计学的分位数图来查找上述经过灰度校正后的图像阈值T,再利用自适应阈值T对封装IC二维X光CT断层图像进行二值化分割;(5)将经过上述分割后的封装IC二维X光CT断层图像进行最小二乘B样条拟合轮廓线;(6)对上述经过轮廓线拟合后的封装IC二维X光CT断层图像序列进行MC算法3D重建,显示出3D封装IC表面及内部结构。
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