[发明专利]采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件

摘要

本发明涉及采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件。在衬底的第一绝缘体层的顶面上沉积半导体纳米颗粒。在所述半导体纳米颗粒和所述第一绝缘体层之上沉积第二绝缘体层。然后将半导体层接合到所述第二绝缘体层以提供包括掩埋绝缘体层的绝缘体上半导体衬底，所述掩埋绝缘体层包括所述第一和第二绝缘体层以及嵌入其中的半导体纳米颗粒。在所述掩埋绝缘体层下方形成背栅电极，并且形成浅沟槽隔离结构以隔离所述背栅电极。采用相同的处理步骤在存储器件区域和逻辑器件区域中形成场效应晶体管。嵌入的纳米颗粒可用作非易失性存储器件的电荷存储器元件，其中在写入和擦除期间载流子隧穿通过所述第二绝缘体层而进入或离开所述半导体纳米颗粒。

主权项

一种半导体结构，其包括非易失性存储器元件，所述非易失性存储器元件包括：场效应晶体管，其包括位于半导体层的第一部分中的源极区、漏极区和体区；位于所述半导体层下方的掩埋绝缘体层；以及在与所述半导体层的所述第一部分对应的所述掩埋绝缘体层的第一部分中嵌入的半导体纳米颗粒，并且还包括：另一场效应晶体管，该另一场效应晶体管包括位于所述半导体层的第二部分中的另一源极区、另一漏极区和另一体区，其中与所述半导体层的所述第二部分对应的所述掩埋绝缘体层的第二部分不具有嵌入的半导体纳米颗粒。