[发明专利]半导体封装结构的形成方法

摘要

一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层，钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口；在第一开口上形成凸下金属层；在凸下金属层上形成金属柱；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；形成牺牲层，牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本发明的方法提高了封装结构的可靠性和稳定性。

主权项

一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；在第一开口的侧壁和底部以及钝化层上形成凸下金属层；形成覆盖所述凸下金属层的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第一开口上的部分凸下金属层的第二开口；在第二开口中形成金属柱；去除所述第一掩膜层；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；在金属柱两侧的部分钝化层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖所述牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层远离金属柱一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通，并暴露出底切缺陷；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属；去除所述第二掩膜层。