[发明专利]一种电容式微机电磁场传感器

摘要

本发明公开了一种电容式微机电磁场传感器，该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的硅衬底、二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，二氧化硅层的中部为空心，多晶硅层和氮化硅层中部设有U形梁，氮化硅层的四周设为锚区，U形梁根部与锚区固定连接，U形梁处于悬空状态；U形梁的氮化硅层的上表面布设有驱动金属线；锚区中设有电容上极板焊盘、电容底电极焊盘和驱动金属线焊盘；氮化硅层中设有含金属柱的第一通孔和含金属柱的第二通孔；U形梁的多晶硅层通过第一通孔与电容上极板焊盘连接，构成电容上电极；多晶硅层通过第二通孔与电容底电极焊盘连接，构成电容底电极；多晶硅层中设有凹槽，凹槽隔离电容上电极和电容底电极。该传感器可以测量磁场幅度，且传感器结构简单。

主权项

一种电容式微机电磁场传感器，其特征在于，该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的硅衬底（13）、二氧化硅层（12）、多晶硅层（11）和氮化硅层（10），二氧化硅层（12）的中部为空心，多晶硅层（11）和氮化硅层（10）中部设有U形梁（1），氮化硅层(10)的四周设为锚区（3），U形梁（1）根部与锚区（3）固定连接，U形梁（1）处于悬空状态；U形梁（1）的氮化硅层的上表面布设有驱动金属线（2）；锚区（3）中设有电容上极板焊盘（5）、电容底电极焊盘（6）和驱动金属线焊盘（4）；氮化硅层（10）中设有含金属柱的第一通孔（8）和含金属柱的第二通孔（9）；U形梁（1）的多晶硅层通过第一通孔（8）与电容上极板焊盘（5）连接，构成电容上电极；多晶硅层（11）通过第二通孔（9）与电容底电极焊盘（6）连接，构成电容底电极；多晶硅层（11）中设有凹槽（7），凹槽（7）隔离电容上电极和电容底电极。