[发明专利]一种Zigbee的温度传感器制作方法无效
申请号: | 201310459228.2 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103542956A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 王萌;唐新来;李健军 | 申请(专利权)人: | 柳州市宏亿科技有限公司 |
主分类号: | G01K7/22 | 分类号: | G01K7/22 |
代理公司: | 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 | 代理人: | 邓晓安 |
地址: | 545006 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开一种Zigbee的温度传感器制作方法,它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件,周围环境温度的变化引起其阻值的变化,达到测量温度,作为传感器的目的。本发明制作的器件还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 zigbee 温度传感器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种Zigbee的温度传感器制作方法,其特征在于,按照如下步骤进行: (1)在衬底(1)上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层(9),并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理;紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层(9)上面重叠聚酰亚胺预聚体,经过阶梯式热固化后,形成聚酰亚胺层(7); (2)在衬底(1)下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层(2);(3)在衬底(1)局部中心细加工出凹槽(9); (4)采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层(7)上溅射一层粘附层(3); (5)采用磁控溅射工艺在粘附层(3)上面溅射一层温敏电阻层(4); (6)采用磁控溅射工艺在温敏电阻层(4)上面溅射一层导电层(5); (7)将衬底(1)放入酒精容器内,采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层(4)结构图形以外的粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5),衬底(1)上两侧露出聚酰亚胺层(7),形成粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)结构层; (8)在导电层(5)结构层上涂一层光刻胶,采用光刻工艺光刻形成导电层(5)电极结构图形; (9)采用碘化钾湿法腐蚀工艺,腐蚀温敏电阻层(4)上面中间部位的导电层(5),露出中间部位的温敏电阻层(4),温敏电阻层(4)两端形成导电层(5)电极结构; (10)在衬底(1)上露出的两侧聚酰亚胺层(7)上、露出中间部位的温敏电阻层(4)上、导电层(5)电极结构上面涂一层光刻胶,光刻出悬臂梁(6)结构图形; (11)采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层(7)上面刻蚀形成悬臂梁(6)结构,露出聚酰亚胺层(7)下面的聚二甲基硅氧烷层(9); (12)采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层(7)下面的聚二甲基硅氧烷层(9)、悬臂梁(6)结构下面的聚二甲基硅氧烷层(9),形成悬空的悬臂梁(6)结构; (13)采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底(1)形成腔体结构,悬臂梁(6)、粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)悬空固定在衬底(1)腔体上,完成温度传感器制作。
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