[发明专利]一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后，将其放入一定浓度的酸溶液中，清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明，硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进，电池转换效率有较大提高，对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。

主权项

一种硅薄膜太阳电池，包括硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，其特征在于：所述硅纳米线的顶端不具有所述金属薄膜的金属材料。