[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制作半导体器件的方法，包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成硬掩膜层、第一牺牲材料层和第二牺牲材料层；图案化所述第二牺牲材料层；在图案化的所述第二牺牲材料层上形成侧壁层；蚀刻所述侧壁层以形成侧墙；形成与平面器件区域将形成的隔离区域对应的开口图案；根据所述FinFET区域中的所述侧墙和刻蚀所述第一牺牲材料以形成虚拟图案；以所述虚拟鳍片和具有所述开口图案的所述硬掩膜层为掩膜依次蚀刻所述半导体衬底，以在所述FinFET区域中形成第一浅沟槽和位于所述第一浅沟槽之间的鳍片，以及在所述平面器件区域中形成第二浅沟槽。根据本发明的制作方法将传统的平面晶体管集成到FinFET中，获得具有高性能且具有优良隔离结构的半导体器件。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括FinFET区域和平面器件区域；在所述半导体衬底上依次形成硬掩膜层、第一牺牲材料层和第二牺牲材料层；图案化所述第二牺牲材料层，以形成位于FinFET区域中的虚拟鳍片图案和位于平面器件区域中的有源区虚拟图案；在图案化的所述第二牺牲材料层上形成侧壁层；蚀刻所述侧壁层以在所述虚拟鳍片图案和所述有源区虚拟图案的侧壁上形成侧墙；在所述第二牺牲材料层上形成图案化的光刻胶层；根据所述图案化的光刻胶层蚀刻所述平面器件区域中的所述第一牺牲材料层和所述硬掩膜层，以形成与所述平面器件区域将形成的隔离区域对应的开口图案，去除所述FinFET区域中所述虚拟鳍片图案，去除所述图案化的光刻胶层；根据所述FinFET区域中的所述侧墙刻蚀所述第一牺牲材料层以形成虚拟鳍片；以所述虚拟鳍片和具有所述开口图案的所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以在所述FinFET区域中形成第一浅沟槽和位于所述第一浅沟槽之间的鳍片，以及在所述平面器件区域中形成第二浅沟槽。