[发明专利]集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法有效
| 申请号： | 201310459774.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500442A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 高红霞;徐寒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G06T5/00 | 分类号： | G06T5/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法，包括以下步骤：1)采集面向集成电路封装过程的X射线图像；2)将X射线图像进行拉普拉斯金字塔分解，获得各尺度的X射线金字塔细节图像；3)对金字塔中底层采用对数增强方法调整图像的亮度和对比度；4)对金字塔中顶层的细节图像直方图均衡化增强方法调整图像的亮度和对比度；5)对各尺度下的细节图像进行重建得到细节增强的图像。本发明方法具有简单快捷的优点，其针对信噪比低，缺陷对比度差的集成电路封装中的X射线图像，可以实现图像动态范围的压缩，使图像进行有用信息的扩展，从而使图像细节更突出和提高图像的对比度，有较高的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 中的 射线 图像 尺度 细节 增强 方法 | ||
【主权项】：
集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：1)采集面向集成电路封装过程的X射线图像；2)将X射线图像进行拉普拉斯金字塔分解，获得各尺度的X射线金字塔细节图像；3)对金字塔中底层采用对数增强方法调整图像的亮度和对比度；4)对金字塔中顶层的细节图像直方图均衡化增强方法调整图像的亮度和对比度；5)对各尺度下的细节图像进行重建得到细节增强的图像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310459774.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
