[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制作半导体器件的方法，包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成硬掩膜层和牺牲材料层；图案化所述牺牲材料层和所述硬掩膜层形成与平面器件区域将形成的隔离区域对应的开口图案；图案化FinFET区域中的牺牲材料层，以用于定义鳍片；根据图案化的所述牺牲材料层刻蚀所述半导体衬底，以在所述半导体衬底的所述FinFET区域中形成第一浅沟槽和位于所述第一浅沟槽之间的鳍片，在所述半导体衬底的所述平面器件区域中形成第二浅沟槽；在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以完成对所述第一浅沟槽和第二浅沟槽的填充。根据本发明的制作方法将FinFET的高性能和平面晶体管优良的电学隔离性能和有效的结面积利用率相结合，以获得具有高性能且具有优良隔离结构的半导体器件。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括FinFET区域和平面器件区域；在所述半导体衬底上依次形成牺牲材料层和硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层和所述牺牲材料层形成与平面器件区域将形成的隔离区域对应的开口图案；图案化所述FinFET区域中的所述硬掩膜层，以用于定义鳍片；根据图案化的所述硬掩膜层刻蚀所述牺牲材料层和半导体衬底，以在所述半导体衬底的所述FinFET区域中形成第一浅沟槽和位于所述第一浅沟槽之间的鳍片，在所述半导体衬底的所述平面器件区域中形成第二浅沟槽；在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以完成对所述第一浅沟槽和第二浅沟槽的填充；平坦化所述隔离材料层，以使所述隔离材料层与所述牺牲材料层的顶部齐平；部分去除所述隔离材料层；去除所述牺牲材料层；在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述平面器件区域露出所述FinFET区域；回刻蚀FinFET区域中的所述隔离材料层，以形成第一浅沟槽隔离结构；去除所述光刻胶层，同时在所述平面器件区域形成第二浅沟槽隔离结构。