[发明专利]一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310460043.3 | 申请日： | 2013-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103474572A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;戴亚伟;王鹏飞;张卫;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件存储技术领域，具体为一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法。本发明依托于原有的阻变存储器三明治结构，即底部电极/阻变功能层/顶部电极结构，利用柔性衬底作为基底，采用低温原子层淀积以及物理气相淀积技术方面的获得堆栈功能层结构。具体制备步骤为：先采用低温原子层淀积技术在柔性衬底上淀积介质层，再利用物理气相淀积活性金属作为顶部电极，再在其上淀积Al电极避免顶部电极被氧化。本发明制备氧组分不同的缺氧/富氧型堆栈功能层，实现RRAM器件的CRS行为。可以有效地克服交叉点阵集成结构中漏电流引起的串扰问题，为未来柔性电子器件提供了一种切实可靠的方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 具有 crs 行为 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器，其特征在于，包括：由柔性材料组成的衬底；位于上述衬底之上的底部电极层；位于底部电极层之上的阻变功能层；位于阻变功能层之上的顶部电极层。
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