[发明专利]数字模拟转换电路

摘要

本发明涉及数字模拟转换电路，具体提供了一种D/A转换电路包括：电流生成电路，各自包括恒流源，被配置为生成电流；第一MOSFET，连接至恒流源并被配置为控制电流的供应目标；第一栅极控制部，被配置为互斥性地将第一电压和第二电压提供至第一MOSFET的栅极，以及第一放电开关，连接至第一栅极控制部和第一MOSFET的栅极，被控制为在第一栅极控制部提供第二电压的同时被开启，并且被控制为在第一栅极控制部提供第一电压之前被关断；第一电流附加线；放电线；第一电阻器，连接至第一电流附加线；以及电压源，被配置为将第二电压提供至第一栅极控制部。

主权项

一种数字模拟转换电路，包括：多个电流生成电路，各自包括：恒流源，被配置为生成与预定参数相对应的电流，第一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），连接至所述恒流源并被配置为控制所述电流的供应目标，第一栅极控制部，被配置为互斥性地将第一电压和第二电压提供至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管被控制为由所述第一电压关断并由所述第二电压开启，以及第一放电开关，连接至所述第一栅极控制部和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极，被控制为在所述第一栅极控制部提供所述第二电压的同时被开启以将积累在寄生电容中的电荷放电至预定目标，所述寄生电容位于所述第一栅极控制部和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极中，并且所述第一放电开关被控制为在所述第一栅极控制部提供所述第一电压之前被关断；第一电流附加线，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管并联连接至所述第一电流附加线；放电线，被配置为将所述电荷放电；第一电阻器，以预定电位连接至所述第一电流附加线；以及电压源，被配置为将所述第二电压提供至所述第一栅极控制部。