[发明专利]固态成像装置和电子装置无效
申请号: | 201310460290.3 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN103715213A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 菊池善明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及能够在保持良好的传输特性的同时减小暗电流的固体成像装置和包括该固态成像装置的电子装置。所述固态成像装置包括电荷累积单元、信号电压检测单元、传输晶体管和钉扎层。所述电荷累积单元累积经光电转换的电荷且形成在硅基板上。所述信号电压检测单元检测与在所述电荷累积单元中所累积的所述电荷相对应的信号电压且形成在所述硅基板上。所述传输晶体管将在所述电荷累积单元中所累积的所述电荷传输到所述信号电压检测单元且形成在所述硅基板上。所述钉扎层钉扎所述硅基板的表面使得所述表面充满电子空穴,且直接形成在栅极端处的所述硅基板上,在所述栅极端处所述传输晶体管的栅极电极与所述电荷累积单元在所述硅基板上彼此接触。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,其包括:电荷累积单元,所述电荷累积单元用于累积经光电转换的电荷,所述电荷累积单元形成在硅基板上;信号电压检测单元,所述信号电压检测单元用于检测与所述电荷累积单元中所累积的所述电荷相对应的信号电压,所述信号电压检测单元形成在所述硅基板上;传输晶体管,所述传输晶体管用于将所述电荷累积单元中所累积的所述电荷传输到所述信号电压检测单元,所述传输晶体管形成在所述硅基板上;和钉扎层,所述钉扎层用于钉扎所述硅基板的表面使得所述表面被充满电子空穴,所述钉扎层在栅极端处直接形成在所述硅基板上,其中在所述栅极端处,所述传输晶体管的栅极电极与所述电荷累积单元在所述硅基板上彼此接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310460290.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的