[发明专利]闪烁多电平阈值分布方案无效
| 申请号： | 201310460506.6 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103531238A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 金镇祺 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案，其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平，以最小化读出干扰效应，由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化，则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V，而编程电压域大于0V。因此，用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用负和正的高电压。 | ||
| 搜索关键词： | 闪烁 电平 阈值 分布 方案 | ||
【主权项】：
一种用于验证耦合到位线的闪烁存储器单元的编程状态的方法，包括：使用负的参考电压驱动连接到所述闪烁存储器单元的字线；如果所述位线的电压电平响应于处于所述负的参考电压的字线而改变，则确定未能将所述闪烁存储器单元编程到所述编程状态。
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