[发明专利]一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法有效
| 申请号： | 201310461761.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104512878A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 赵斌元;王菲;周洁;宁月生;赖奕坚;梅倩;王垒;甘琦;胡筱君 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，将成型多孔碳多次清洗烘干后与铜盐溶液反应，将反应后的多孔碳取出烘干即在成型多孔碳的表面生长出立方体纳米氧化亚铜颗粒。本发明基于原电池原理，利用成型多孔碳表面及孔中的还原性官能团直接还原铜盐溶液，无需添加任何还原剂和表面活性剂，在成型多孔碳的表面生长出的纳米氧化亚铜颗粒形态可控、性能稳定，可直接作为催化剂使用。与传统的方法比较，本发明提出了一种全新的反应机制，体系简单、反应条件温和、稳定性好、成本低、效益高，无毒无害、绿色环保，是一种非常具有前景的立方体纳米氧化亚铜颗粒制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 成型 多孔 表面 生长 立方体 纳米 氧化亚铜 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，为采用成型多孔碳还原铜盐溶液获得所述的立方体纳米氧化亚铜颗粒。
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