[发明专利]一种半导体型碳纳米管的富集方法

摘要

本发明公开一种半导体型碳纳米管的富集方法。即首先将固体氧化性化合物溶解在液体试剂中得固体氧化性化合物溶液；然后将需要纯化的单壁碳纳米管均匀分散到上述所得的固体氧化性化合物溶液中，得到浓度为0.1-0.5mg/ml碳纳米管分散液；再将所得的碳纳米管分散液置于微波反应器中进行反应，控制其反应温度40-150℃，时间25-120min，得到的反应液依次经过滤、洗涤、干燥后，于真空或者惰性气氛中进行退火后，即得半导体型碳纳米管。本发明的半导体型碳纳米管的富集方法使分离后的碳纳米管保持结构与性能稳定，有利于实现对碳纳米管分离过程的精确控制，最终获得半导体型碳纳米管的含量达90-93%的产品。

主权项

一种半导体型碳纳米管的富集方法，其特征在于具体包括如下步骤：（1）、将固体氧化性化合物溶解在液体试剂中，控制固体氧化性化合物浓度为0.1‑0.4mg/ml，即得浓度为0.1‑0.4mg/ml的固体氧化性化合物溶液；所述固体氧化性化合物为四氟硼酸硝、四氟硼酸亚硝或氟硼酸重氮盐；所述液体试剂为去离子水、乙醇、四氯甲烷、三氯甲烷、四氢呋喃或二甲基甲酰胺；（2）、将需要纯化的单壁碳纳米管借助磁力搅拌、高剪切混合或超声分散方法将其均匀分散到上述所得的固体氧化性化合物溶液中，控制单壁碳纳米管浓度为0.1‑0.5mg/ml，即得到浓度为0.1‑0.5mg/ml碳纳米管分散液；（3）、将上述所得的碳纳米管分散液置于微波反应器中，控制温度40‑150℃，时间25‑120min进行反应，得到反应液；（4）、将上述所得的反应液真空过滤，所得的滤饼用去离子水洗涤至流出液的pH值为中性后，将滤饼在空气中自然干燥24h后，再将滤饼在真空或者惰性气氛中进行退火后，即得半导体型碳纳米管；上述的退火过程控制温度为600‑1000℃，时间为30‑60min；所述的惰性气体为氩气、氦气或氮气。