[发明专利]晶片叠层体、器件晶片及承载晶片的粘合及剥离处理方法无效
| 申请号： | 201310462164.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715126A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡成芫;徐荣得;安兴基;太景燮;金光武 | 申请（专利权）人： | 怡诺士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及包含接合于如承载晶片等支撑体上的器件晶片的叠层体、上述承载晶片和器件晶片的粘合及剥离方法，更为详细地，涉及一种无上述器件晶片的损伤地能够进行粘合及剥离处理的叠层体，包括：器件晶片；保护层，其形成于上述器件晶片的一面；承载晶片，其用于支撑上述器件晶片；填充层，其形成于上述承载晶片的一面；以及光分解层，其形成于上述填充层上的一部分，与上述保护层相接触，来使器件晶片与承载晶片临时接合。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 叠层体 器件 承载 粘合 剥离 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种叠层体，其特征在于，包括：器件晶片；保护层，其形成于上述器件晶片的一面；承载晶片，其用于支撑上述器件晶片；填充层，其形成于上述承载晶片的一面；以及光分解层，其形成于上述填充层上的一部分，与上述保护层相接触，来使器件晶片与承载晶片临时接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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