[发明专利]一种具有微纳结构的0LED制造方法有效

专利信息
申请号: 201310462950.1 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN103545464A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 王莉;丁玉成;罗钰;李龙;严诚平;卢秉恒 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;B82Y40/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 蔡和平
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种具有微纳结构的0LED制造方法,包括以下步骤:1)分别在清洗后的石英基片上旋涂单层直径不同的二氧化硅纳米球;2)对涂布有二氧化硅纳米小球的石英基片进行刻蚀,形成散射结构石英基片和增透结构石英基片;3)将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上,烘烤待聚氨酯固化后,脱模得到具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具;4)将上述聚氨酯模分别放置在聚碳酸酯基底的上下两端同时进行热压印,在聚碳酸酯基底形成散射结构和增透结构;5)在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件。聚碳酸酯基底具有双面亚微米级结构,解决了OLED的聚合物基底上的图形化成本高,效率低且难以大面积制备的问题。
搜索关键词: 一种 具有 结构 led 制造 方法
【主权项】:
一种具有微纳结构的0LED的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、分别在清洗后的石英基片上旋涂单层第一二氧化硅纳米球和第二二氧化硅纳米球,第一二氧化硅纳米球的直径大于第二二氧化硅纳米球直径;2)、对涂布有第一二氧化硅纳米小球和第二二氧化硅纳米球的石英基片进行刻蚀,涂布第一二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为散射结构石英基片,涂布第二二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为增透结构石英基片;3)、对刻蚀后的两种石英基片进行清洗、烘干后,将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上,烘烤待聚氨酯固化后,脱模得到具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具;4)、将具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模分别放置在聚碳酸酯基底的上下两端同时进行热压印,在聚碳酸酯基底形成散射结构和增透结构;5)、在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件。
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