[发明专利]一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法有效
| 申请号： | 201310463141.2 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103508732A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 高春华;黄新友;李军 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法，介质配方组成包括（重量百分比）：SrTiO388-96%，LiNbO30.1-4%，Dy2O30.05-4%，SiO2-B2O3-Li2O玻璃粉0.03-3.0%，CuO0.1-4%，SiO20.01~1%，MnO20.03-2.0%；其中SrTiO3、LiNbO3、SiO2-B2O3-Li2O玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 系数 晶界层 陶瓷 电容器 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：SrTiO3 88‑96%，LiNbO3 0.1‑4%，Dy2O3 0.05‑4%，SiO2‑B2O3‑Li2O玻璃粉0.03‑3.0%，CuO 0.1‑4%，SiO20.01~1%，MnO20.03‑2.0%；其中SrTiO3、LiNbO3、SiO2‑B2O3‑Li2O玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。
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