[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310463703.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104517850B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括提供衬底；形成位于衬底中的源区、漏区以及位于衬底上的栅极；在衬底以及源区、漏区和栅极上覆盖介质层；在介质层中形成接触孔，使所述接触孔露出源区、漏区以及栅极中的一个或者多个；向接触孔内通入化学溶液，使所述化学溶液在所述接触孔的内壁以及底部形成覆盖层；进行第一热处理，使所述覆盖层以及与所述覆盖层相接触的源区、漏区或栅极反应，以形成接触层；对所述晶体管进行选择性清洗，以去除未反应的覆盖层。与现有技术相比本发明的技术方案具有以下优点通过向所属接触孔中通入化学溶液的方式形成的覆盖层，可以很好的覆盖在所述接触孔的内部，进而使形成的接触层厚度均匀，形成接触层的效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成位于所述衬底中的源区、漏区以及位于所述衬底上的栅极；在所述衬底以及所述源区、漏区和栅极上覆盖介质层；在所述介质层中形成接触孔，使所述接触孔露出源区、漏区以及栅极中的一个或者多个；向所述接触孔内通入化学溶液，使所述化学溶液在所述接触孔的内壁以及底部形成覆盖层，所述覆盖层由所述化学溶液的化学反应形成；进行第一热处理，使所述覆盖层以及与所述覆盖层相接触的源区、漏区或栅极反应，以形成接触层；进行选择性清洗，以去除未反应的覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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