[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310464823.5 申请日: 2013-10-08
公开(公告)号: CN103715105B 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 秋叶秀树;塩原利夫;关口晋 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/54 分类号: H01L21/54;H01L21/56;H01L23/24
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 张永康,向勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的是提供一种半导体装置的制造方法,其不需要以往的对由填充材料所导致的翘曲采取应对方法、及根据密封层形成时的不良元件数量来调整树脂填充量,可制造翘曲得以减少、且耐热性和耐湿性优异的半导体装置。为解决该问题,本发明提供一种半导体装置的制造方法,具有树脂填充步骤,将比形成密封层所需要的量更多的热固化性树脂填充于第1模槽内,充满该第1模槽的内部,并且将剩余的前述热固化性树脂排出至第1模槽的外部;一体化步骤,一边对上模具和下模具进行加压一边将热固化性树脂成型,并将搭载半导体元件的基板、不搭载半导体元件的基板、及密封层一体化;及,单片化步骤,从成型模具中取出一体化后的基板,通过切割进行单片化。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其使用具有上模具和下模具的成型模具来制造半导体装置,其特征在于,其具有:准备步骤,该准备步骤准备具有第1模槽的前述成型模具,所述第1模槽用于将搭载半导体元件的基板、不搭载半导体元件的基板、及形成于这些基板之间的由热固化性树脂所组成的密封层一体化;配置步骤,该配置步骤将前述第1模槽内加热至室温~200℃,在前述成型模具的前述上模具和前述下模具中的一模具上配置前述搭载半导体元件的基板,在另一模具上配置前述不搭载半导体元件的基板;树脂填充步骤,该树脂填充步骤将比形成前述密封层所需要的量更多的前述热固化性树脂填充于前述第1模槽内,充满该第1模槽的内部,并且将剩余的前述热固化性树脂排出至前述第1模槽的外部;一体化步骤,该一体化步骤一边对前述上模具和前述下模具进行加压一边将前述热固化性树脂成型,并将前述搭载半导体元件的基板、前述不搭载半导体元件的基板、及前述密封层一体化;及,单片化步骤,该单片化步骤从前述成型模具中取出该一体化后的基板,并通过切割进行单片化,在前述准备步骤中,准备还具有第2模槽的前述成型模具,所述第2模槽经由流道与前述第1模槽连结;在前述树脂填充步骤中,将前述剩余的前述热固化性树脂排出至前述第2模槽,并且,在前述配置步骤中,将前述第2模槽内的温度加热至高于前述第1模槽内的温度;在前述树脂填充步骤中,使排出至前述第2模槽的前述剩余的热固化性树脂在前述第1模槽内的前述热固化性树脂固化之前先固化。
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