[发明专利]一种干式积层陶瓷电容器的制造方法无效
| 申请号： | 201310467792.9 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103489642A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 高在洪;金亨泰;安荣宽 | 申请（专利权）人： | 大连天壹电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/12 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 衣维成 |
| 地址： | 116600 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，包括准备晶片的第一阶段，内部电极图形与为了调节电介层的积层数指定积层次数的第二阶段，晶片蚀刻的第三阶段，形成内部电极图形的第四阶段，在内部电极图形的上部，以复数蒸镀方法进行电介层蒸镀的第五阶段，反复积层的第六阶段，晶片背面进行研磨的第七阶段，晶片以芯片形态切割的第八阶段，把切割完的芯片菱角进行研磨的第九阶段，芯片的外部形成外部电极的第十阶段。本发明是利用干式方法形成电极层和电介层，可省略使用液状原料的湿式工程中必要的高温烧结工程，此能够减少层间界面的不良，并且因使用原子层蒸镀方式，可形成精密厚度层间薄膜的效果，制造出高品质的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干式积层 陶瓷 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于包括如下阶段：第一阶段：晶片准备阶段；第二阶段：积层层数指定阶段；第三阶段：晶片表面蚀刻阶段；第四阶段：内部电极图形形成阶段；第五阶段：转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段；第六阶段：反复积层阶段；第七阶段：晶片背面研磨阶段；第八阶段：以芯片形态切割阶段；第九阶段：芯片倒角研磨阶段；第十阶段：形成外部电极阶段。
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