[发明专利]一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法有效
| 申请号： | 201310468042.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103553043A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 欧阳海波;李翠艳;黄剑锋;曹丽云;殷立雄;费杰 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，将碳微球与二氧化硅微球混合均匀，得到混合粉末；其中碳微球粒径为200～400nm，与二氧化硅微球的粒径为100～200nm；将混合粉末放入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后通入氩气，并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空，然后继续升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下烧结，得到产物；将产物在400-600℃下煅烧，得到高比表面积SiC纳米微球。本发明操作简单，成本低廉，可重复性好，有利于工业化生产。本发明所制得的SiC纳米微球的粒度均匀，纯度高，直径在200～500nm范围内可控，比表面积可以达到25～60m2/g。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 表面积 sic 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将碳微球与二氧化硅微球按质量比（1:1）～（2:1）混合均匀，得到混合粉末；其中碳微球粒径为200～400nm，与二氧化硅微球的粒径为100～200nm；2）将混合粉末放入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后通入氩气，并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空，然后继续升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下烧结，然后自然降温至室温，得到产物；3）将产物在400‑600℃下煅烧，自然冷却至室温，得到高比表面积SiC纳米微球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310468042.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
