[发明专利]包括用于栅极电极的低K电介质帽层的半导体器件及相关方法有效
| 申请号： | 201310468384.5 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103811551B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括衬底、在衬底中的源极区域和漏极区域、在衬底中在源极区域和漏极区域之间的凹陷外延沟道层以及覆在凹陷外延沟道层上面的高K栅极电介质层。半导体器件还可以包括覆在高K栅极电介质层上面的栅极电极、与栅极电极的顶部部分和侧壁部分接触的电介质帽层以及耦合到源极区域和漏极区域的源极接触和漏极接触，电介质帽层具有比高K栅极电介质层更低的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 栅极 电极 电介质 半导体器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底中的源极区域和漏极区域；在所述衬底中在所述源极区域和所述漏极区域的至少一些部分上方横向地延伸的凹陷外延沟道层；覆在所述凹陷外延沟道层上面的高K栅极电介质层；覆在所述高K栅极电介质层上面的栅极电极；与所述栅极电极的顶部部分和侧壁部分接触的电介质帽层，所述电介质帽层具有比所述高K栅极电介质层更低的介电常数；以及耦合到所述源极区域和所述漏极区域的源极接触和漏极接触；其中所述高K栅极电介质层终止于所述栅极电极的底部水平面之下。
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