[发明专利]基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。

主权项

一种基于砷阀开关的II类超晶格结构，其结构自下而上依次为GaAsxSb1‑x层（1）、InAsy1Sb1‑y1层（2）、InAs层（3）和InAsy2Sb1‑y2层（4），其特征在于：所述的GaAsxSb1‑x层（1）的厚度为1.2nm‑3.6nm，组分x为0.01‑0.03；所述的InAsy1Sb1‑y1层（2）的厚度为0.15nm‑0.25nm，组分y1为0.01‑0.3；所述的InAs层（3）的厚度为2.4nm‑4.8nm；所述的InAsy2Sb1‑y2层（4）的厚度为0.15nm‑0.25nm，组分y2为0.5‑0.99。