[发明专利]用于低功率电压基准和偏置电流发生器的方法和电路

摘要

一种用于产生PTAT电压来作为一对双极型晶体管之间的基极-发射极电压差的电路。所述电路可以在级联电压基准电路中形成单位单元(unit cell)，所述级联电压基准电路随着每个后续级增大PTAT电压。所述双极型晶体管是使用偏置布置来控制，所述偏置布置包括连接至电流镜的MOS晶体管，所述电流镜为所述双极型晶体管提供基极电流。通过在末级组合PTAT电压与CTAT电压来形成电压基准。所述电压基准可以在所述末级中从所述双极型晶体管之一的发射极处的电压获得。

主权项

一种基极‑发射极电压差电路，其包括：第一双极型晶体管(340)和第二双极型晶体管(350)，所述第一双极型晶体管和所述第二双极型晶体管共享共基极；第一电流源(310)，其将电流供应至所述第一晶体管；第二电流源(320)，其将电流供应至所述第二晶体管；第一MOS晶体管，其连接在所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的发射极之间，所述第一MOS晶体管(360)还在反馈回路中连接至所述第二晶体管(350)的集电极，以便根据所述第一晶体管与所述第二晶体管的集电极电流密度比率来产生绝对温度比例(PTAT)电压，以便作为所述第一晶体管的基极‑发射极电压与所述第二晶体管的基极‑发射极电压之间的差；以及第二MOS晶体管，其控制所述第一晶体管的集电极电压。