[发明专利]界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法有效
| 申请号： | 201310470363.7 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103526288A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王延;宋玉军;尹伟停;季韶霞 | 申请（专利权）人： | 宋玉军 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B33/02;C25D11/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100191 北京市海淀区学*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法，属于纳米阵列制备技术领域。在基板上沉积厚度为50-500nm的模板材料；将覆盖有模板材料的基板，在N2气氛下在400℃下退火2h；然后使用聚合物保护边缘，通过阳极氧化基板上的模板材料层直接在基板表面形成尺寸为10-60nm的孔，形成模板；在模板上沉积厚度为10-15nm的纳米阵列材料；在N2气氛下在400℃下退火2h；然后再在200℃下空气中退火2个小时；然后造腐蚀液中将模板材料腐蚀掉。本发明在目标基板上大面积且经济地制造密度超过1022/inch2的单层纳米阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 作用 诱导 组装 高密度 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在基板上沉积厚度为50‑500nm的模板材料；将覆盖有模板材料的基板，在N2气氛下在400℃下退火2h；（2）然后使用聚合物保护步骤（1）所得基板边缘，通过阳极氧化基板上的模板材料层直接在基板表面形成尺寸为10‑60nm的孔，形成模板；（3）在步骤（2）所得的模板上沉积厚度为10‑15nm的纳米阵列材料；（4）将步骤（3）得到的产品在N2气氛下在400℃下退火2h；然后再在200℃下空气中退火2个小时；（5）然后造腐蚀液中将模板材料腐蚀掉。
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