[发明专利]形成封装结构的机制有效
| 申请号： | 201310470704.0 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104299920B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成封装结构的机制的实施例。形成封装结构的方法包括：提供半导体管芯以及在半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构。第二凸块结构比第一凸块结构更矮和更宽。该方法还包括提供衬底，在衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘。该方法还包括分别在第一接触焊盘和第二接触焊盘上方形成第一焊膏结构和第二焊膏结构。第二焊膏结构比第一焊膏结构更厚。此外，该方法包括将第一凸块结构和第二凸块结构分别与第一焊膏结构和第二焊膏结构回流，以使半导体管芯接合至衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 封装 结构 机制 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成封装结构的方法，包括：提供半导体管芯；在所述半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构，所述第二凸块结构比所述第一凸块结构更矮和更宽；提供衬底，在所述衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘；在所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘上方分别形成第一焊膏结构和第二焊膏结构，所述第二焊膏结构比所述第一焊膏结构更厚；以及将所述第一凸块结构和所述第二凸块结构分别与所述第一焊膏结构和所述第二焊膏结构回流，以将所述半导体管芯接合至所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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