[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310470995.3 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104576369A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张帅;李勇;居建华;俞少峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作半导体器件的方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲材料层；图案化所述牺牲材料层，以形成多个虚拟图案，其中部分虚拟图案之间的间隔宽度大于拟将形成的鳍片的宽度小于拟将形成的鳍片宽度的2倍；在所述虚拟图案的两侧形成侧壁；去除所述虚拟图案保留位于所述虚拟图案两侧的所述侧壁，以形成虚拟鳍片；以所述虚拟鳍片为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以形成所述鳍片。鳍片的宽度可以在一个侧壁至两个侧壁范围内调节，有助于增加SRAM存储单元在晶体管器件水平的调整空间，提高SRAM的静态噪声容限，减小鳍片宽度变化造成的器件性能波动，改善器件的不匹配性和提升良率窗口，有利于进一步缩小存储单元面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲材料层；图案化所述牺牲材料层，以形成多个虚拟图案，其中部分虚拟图案之间的间隔宽度大于拟将形成的鳍片的宽度小于或等于拟将形成的鳍片宽度的2倍；在所述虚拟图案的两侧形成侧壁；去除所述虚拟图案保留位于所述虚拟图案两侧的所述侧壁，以形成虚拟鳍片；以所述虚拟鳍片为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以形成所述鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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