[发明专利]拍摄元件及拍摄装置无效
申请号: | 201310471266.X | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN103779368A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 岩崎正则;木村望;名取太知;小泽谦;松泽伸行;保原大介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种不降低拍摄性能而能够使拍摄光学系统薄型化的拍摄元件及拍摄装置。本发明涉及的拍摄元件具备:片上透镜、低折射率层、红外吸收层。片上透镜由高折射率材料形成。低折射率层平坦地形成于片上透镜上,由低折射率材料形成。红外吸收层相比低折射率层层叠于上层,由红外吸收材料形成。 | ||
搜索关键词: | 拍摄 元件 装置 | ||
【主权项】:
一种拍摄元件,具备:片上透镜,其由高折射率材料形成;低折射率层,其平坦地形成于所述片上透镜上,由低折射率材料形成;以及红外吸收层,其相比所述低折射率层层叠于上层,由红外吸收材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的